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Population inversion and terahertz lasing in graphene

机译:石墨烯中的粒子数反转和太赫兹激光

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摘要

We report on the effect of population inversion associated with the electron and hole injection in graphene pi-n structures at the temperatures 200K-300K. It is assumed that the recombination and energy relaxation ofelectrons and holes is associated prima
机译:我们报告了在200K-300K温度下石墨烯pi-n结构中与电子和空穴注入相关的种群反转的影响。假定电子和空穴的重组和能量弛豫与表面活性有关

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