Belarus State University, Nezavisimosty av. 4, Minsk, Belarus 220030;
monte carlo simulation; temperature effect; electron scatterings; drift velocity; electron mobility; short-channel mosfets;
机译:带有应变Si的超短n-MOSFET:器件性能和使用蒙特卡洛模拟的弹道传输效应
机译:基于蒙特卡罗模拟的ZnO和GaAs基MOSFET的漏源电子传输特性曲线比较
机译:蒙特卡洛模拟在薄SOI,应变SOI和GeOI MOSFET中的电子传输
机译:传统短路MOSFET中电子传输的温度效应:蒙特卡罗模拟
机译:量子校正的全频带半经典蒙特卡洛模拟研究,用于硅,应力硅和硅锗MOSFET中的电荷传输。
机译:微型端板电流的温度敏感性主要由通道门控控制:优化记录和蒙特卡洛模拟的证据。
机译:离散杂质对超短电子传输的影响 mOsFET采用3D蒙特卡罗模拟