School of Software Microelectronics Peking University Beijing China 102600;
Institute of Microelectronics Peking University Beijing China 100871;
RRAM; energy consumption; physical vapor deposition; electronic synapses; multi-level;
机译:基于HfO2的纳米级RRAM器件中用于人工神经元和突触元件的阈值和多级电阻切换特性的双重功能
机译:基于RRAM的神经晶体系统的突触装置(第213 Vol 213,PG 421,2019)
机译:基于RRAM的神经晶体系统的突触装置
机译:作为电子突触的HFON RRAM设备上的脉冲操作和低耗耗特性
机译:研究本征薄膜器件异质结的电子特性和纳米晶锗锗器件的缺陷密度分布。
机译:酰胺-吩嗪的依赖成分的纳米电子学:非易失性RRAM和WORM存储设备
机译:电流脉冲控制RRAM设备的电导
机译:工程模型模拟脉冲Nd:YaG激光焊接过程中电子器件的热响应