EUV; EUVL; MOx photoresist; MOR; 0.33NA; pitch 28nm; P28; iN7;
机译:用于HVM EUV光刻的含金属抗蚀剂准备就绪
机译:含有HVM EUV光刻的抗蚀剂耐用性
机译:使用电子束光刻和化学放大的抗蚀剂工艺制造7纳米四分之一间距的线和间隔图案的理论研究:III。石英基板上的曝光后烘烤
机译:金属层单级EUV暴露在间距28nm:亮场和NTD抗蚀点的优点
机译:图案集成干涉光刻:具有集成功能元件的光子晶体晶格的单曝光形成。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:使用0.33NA EUV光刻的逻辑和记忆的光刻胶挑战