ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Ge の化学分析

摘要

これまでに、ヘテロエピタキシャル成長したAg 薄膜/Ge(111)構造をN_2 雰囲気中(or 真空中で熱処理することで、Ag 表面の平坦化とGe 原子の表面偏析が進行し、二原子層程度の極薄Ge 結晶(or Ge の単原子層:ゲルマネン)を形成できることを明らかにした。また前回、Ag と同様にGe と共晶反応を示すAl をGe(111)基板上に真空蒸着した場合においても、Al がヘテロエピタキシャル成長し、その後に真空中熱処理をすることでAl 表面に極薄Ge が析出することを報告した。本研究では、Ge 二次元結晶の合成指針を得ることを目的とし、Al/Ge(111)構造において、真空中熱処理により析出した極薄Ge の化学結合?結晶状態を評価した。