HAT-CN/ Ag/ HAT-CNを透明陽極に用いた有機EL素子の作製と評価

摘要

誘電体／金属／誘電体 (DMD)薄膜は M のフェルミ準位の D へのピン止めによる導電性と透明性を有するため、ITOに代わる透明導電膜として注目されている。我々はMoO_3/ Ag/MoO_3（MAM）を逆構造の有機EL素子の陽極として検討している。本研究では新たに半導体であるMの代わりに5eV以上の深いLUMOを有し可視領域で透明なHAT-CN（H）を用い、銀(A)膜のフェルミ準位が H 膜の LUMO にピン止めされることによるH膜の導電性がHAHの導電性に寄与することを期待した。