首页> 外文会议>日本金属学会春期大会 >(20-0086)FLAPW-Fourier 理論で解析する電子波干渉によるギャップ生成機構--cF8, cF12 及びcF16 化合物群--
【24h】

(20-0086)FLAPW-Fourier 理論で解析する電子波干渉によるギャップ生成機構--cF8, cF12 及びcF16 化合物群--

机译:(20-0086)通过FLAPW-傅里叶理论分析电子波干扰的间隙产生机制 - CF8,CF12和CF16化合物组 -

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摘要

フェルミ準位EF におけるギャップ生成機構には、? 隣接原子間の軌道混成効果と、2 結晶全体にわたる電子波と格子面群の干渉効果による2 種類がある.Mizutani and Sato [1, 2]はWIEN2k-FLAPW-Fourier 理論を発展させ、これら二つの機構が共存する場合も含めて100 を越える化合物のギャップ生成機構を論じてきた.
机译:费米级EF中存在两种类型的间隙生成机制,以及相邻区域之间的轨道混合效应与整个晶体的电子波之间的两种类型的干扰效应以及光栅表面组的干涉效果。 Mizutani和Sato [1,2]讨论了Wien2K-FLAPW-傅立叶理论,并讨论了超过100种化合物的差距生成机制,包括当这两个机制共存时。

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