LPE; 3C-SiC; long period polytypes; polytype transformations; TEM;
机译:在6H-SiC上通过VLS生长的(111)3C-SiC种子上LPE生长的SiC外延层中的缺陷诱导多型转变
机译:Si(001)衬底上3C-SiC异质外延生长过程中堆垛层错和孪晶密度对沉积条件的影响
机译:在(001),(311)A和(110)GAaS衬底上生长的GaMnAs:生长条件和生长后退火行为的比较
机译:在不同生长条件下(001)底物中的3C-SiC晶体中的微观结构和聚催化转化
机译:通过升华法生长的块状3C-SiC单晶的研究。
机译:在单晶MgO(001)基底上生长的FeRh外延层中基底诱导的应变场
机译:在(001)和(111)Si衬底上生长的3C-SiC层中的曲率和应力分析
机译:Inp衬底上GaInasp层LpE生长中晶格匹配的条件。