Complete analysis of Activated Layers; Strain-Effects and Defect Analysis; Defect Analysis of Germanium; Germanium epi-layers;
机译:SiGe源极和漏极的45 nm p型金属氧化物半导体场效应晶体管中SiGe的窄宽和长度依赖性以及黄道孤立应力引起的缺陷
机译:具有SiGeC中间层的SiGe / Si异质结构中扩展缺陷的形成
机译:SiGe合金中的点缺陷:基于电子跃迁分析的结构猜测
机译:Si和SiGe中掺杂物扩散和缺陷的动力学Monte Carlo模拟:SiGe通道量子阱中掺杂物的分析
机译:使用直观和反向直观技术抑制氧化物-SiGe接口的电子缺陷
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
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机译:氧化硅锗合金中Ge相关点缺陷的电荷态