HEMT integrated circuits; III-V semiconductors; WiMax; field effect MMIC; gallium arsenide; microwave power amplifiers; GaAs; GaAs - Interface; WiMAX; base-stations; broadband wireless; enhancement mode pHEMT process; frequency 3.3 GHz to 3.9 GHz; microwave power amp;
机译:完全集成的GaAs HBT功率放大器MMIC,具有高线性输出功率,适用于3 GHz频带宽带无线应用
机译:3.3-4.3 GHz高效宽带Doherty功率放大器
机译:单个3.3 V 2.4-2.5 GHz高线性PHEMT MMIC功率放大器,使用台面蚀刻层作为自偏置电阻
机译:宽带无线0.5W高线性功率放大器(3.3〜3.9 GHz)
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:集成新型模拟预失真线性化器的宽带LTE功率放大器用于移动无线通信
机译:1.25 GHz - 3.3 GHz宽带固态功率放大器用于L和S频段应用