Lithography; Inverse Lithography Technology (ILT); Optical Proximity Collection (OPC); Resolution Enhancement Technology (RET); Sub-Resolution Assist Feature (SRAF); Mask Rule Compliance (MRC); photomask;
机译:用于在32 nm技术节点中进行严格过程控制的高级光刻模型
机译:32nm光刻技术的选择
机译:逆拉普拉斯变换(ILT)NMR:一个有强大的工具,可以区分真正的恢复剂和老年沥青的柔软剂
机译:反光刻技术(ILT)使SRAF和MRC之间的平衡保持在45和32 nm
机译:具有45nm CMOS SOI技术的具有32:1串行器的2位1Gsps ADC阵列
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:利用单一计算光刻框架优化从设计规则,源和掩模到全芯片:基于水平集方法的逆光刻技术(ILT)
机译:三项服务环境技术研讨会论文集(第三期)'环境技术:保持平衡',于1998年8月18日至20日在加利福尼亚州圣地亚哥举行