エチレンジアミン錯体浴による拡散防止膜上への直接銅電析

摘要

近年、LSI内部配線の3次元化やシリコン貫通電極（TSV）を利用したチップの3次元実装など電気銅めっきプロセスを利用した新たな銅配線、電極形成技術が開発されている。LSIやTSVにおいて銅配線を形成する場合、Si半導体やSiO_2誘電体中への銅の拡散を防止するために、TiやTaもしくはそれらの窒化物などの拡散防止膜（バリア層）の形成が必要となる。