HEMT integrated circuits; III-V semiconductors; MIMIC; MMIC; gallium arsenide; microwave switches; 3.9 to 5.5 dB; 70 to 102 GHz; GaAs; HEMT; W-band SPQT MMIC switch; single-pole-quadruple-throw switch; traveling wave concept;
机译:使用石英衬底的Q-MMIC概念具有低成本的W波段SPDT开关
机译:具有W波段行进波管介电基板上的紧凑平面慢波结构的理论与实验研究
机译:使用完全分布式FET的行波单刀多掷MMIC开关的设计注意事项
机译:采用行波概念的紧凑型W波段SPQT MMIC开关
机译:砷化镓MESFET MMIC分布式放大器(微波,惯性,行波)的设计约束。
机译:在紧凑的多匝结构中使用行波实现高分辨率离子迁移分离实现无损离子处理
机译:采用行波概念的紧凑型W波段SPQT MMIC开关
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC