III-V semiconductors; Schottky gate field effect transistors; buffer layers; deep levels; electrical conductivity; electron traps; gallium compounds; impurity states; insulating thin films; wide band gap semiconductors; GaN; GaN MESFET; acceptor density; buffer layer;
机译:缓冲陷阱对GaN FET电流崩塌的影响分析
机译:分析缓冲陷阱对AlGaN / GaN HEMT中栅极滞后,漏极滞后和电流崩溃的影响
机译:脉冲和直流体二极管电流应力对1200V SiC MOSFET I-V特性的稳定性的影响
机译:缓冲俘获对GaN FET的电流减小和脉冲I-V曲线的影响分析
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:通过在不同温度下使用脉冲I-V方法准确提取WSe2 FET参数
机译:缓冲俘获对GaN FET的电流减小和脉冲I-V曲线的影响分析