III-V semiconductors; UHF field effect transistors; UHF power amplifiers; gallium compounds; high electron mobility transistors; microwave field effect transistors; microwave power amplifiers; wide band gap semiconductors; 120 W; 140 W; C band; GaN; HEMT 1-chip high;
机译:采用0.25μM GAN HEMT技术的X波段100 W固态功率放大器
机译:用于微波加热的2.4 GHz带宽100 W GaN-HEMT高效功率放大器
机译:使用100 nm AlGaN / GaN双栅极HEMT的V波段应用的高增益大功率放大器MMIC
机译:具有单元划分配置的100 W GaN HEMT 1芯片大功率放大器的S和C波段
机译:复合可重新配置的双频带固态功率放大器使用单个GaN HEMT进行S和X波段操作
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:具有单元划分配置的S和C波段超过100W GaN HEMT 1芯片大功率放大器