HEMT integrated circuits; MMIC mixers; baluns; field effect transistors; frequency multipliers; 150 to 220 GHz; 50 nm; FET mixer; G-band; Marchand balun; coplanar millimeter wave doubler MMIC; metamorphic HEMT technology;
机译:基于高性能50 nm变形HEMT技术的220 GHz低噪声放大器MMIC和模块
机译:适用于高分辨率成像应用的220 GHz变形HEMT放大器MMIC
机译:基于100 nm变质HEMT技术的D波段倍频器MMIC
机译:使用50 nm变形HEMT技术的150至220 GHz平衡倍增器MMIC
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:使用50 nm变形HEMT技术的150至220 GHz平衡倍增器MMIC