机译:通过Cat-CVD法制备用于底栅型TFT的SiN_x栅绝缘膜
机译:在未氢化的SPC多晶硅薄膜中制造的TFT中栅极/漏极偏置引起的退化效应
机译:通过栅极介电层的氢退火制备的底栅低温纳米晶硅薄膜晶体管的特性
机译:CAT-CVD在低燕牛(<150°C)中制造硅基TFT栅极电介质SIN_X膜的影响
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积沉积非晶硅和硅基电介质:在制造TFT和MOSFET中的应用
机译:在硅晶片上合成的用于栅极电介质应用的新型高k碳氢化合物薄膜的原子力显微镜数据
机译:用HFO-= sub = -2 - = / sub = - / la-= sub = -2- =的双栅双极层(DG-DAL)薄膜晶体管(TFT)电性能的研究。 / sub = -o- = sub = -3 - = / sub = - / hfo-= sub = -2 - = / sub = - (HLH)三明治栅极电介质
机译:原子层沉积制备透明氧化物TFT