光放射圧を利用したCu-CMP 加工に関する研究（第2報）－平坦化における微粒子集積痕の効果

摘要

近年，LSI のデザインルールの縮小と共に，配線材料は従来のAl から，より電気抵抗の低いCu へと移行してきている．Cu 配線パターンの加工·形成は，基板内にあらかじめ所定の溝構造を形成したうえで，溝内にCu を埋め込むダマシン（Damascene）法が用いられる．この際に生まれる余剰Cu 層は，CMP 加工により除去されるが，配線パターンに依存した“削れ過ぎ”の現象が起こり，デバイスの性能を低下させる原因となる．本研究では，高度な平坦度の実現のため，FIB加工により模擬的に凹面を作製し，その凹部にレーザ微粒子集積痕を形成し，ポリシングを行う，新しい平坦化方法を試みた．結果，当初の凹部形状の影響を受けないnm スケールの平坦化ポリシングの可能性を確認したので報告する．