Pérdidas eléctricas asociadas a procesos de interconexión con láser en dispositivos de lámina delgada

摘要

Se presenta un modelo para la evaluación de pérdidas eléctricas en la fabricación de dispositivos optoeléctronicos con láseres de estado sólido bombeados por diodos, con ancho temporal de nanosegundos v longitud de onda en el espectro visible (532 nm). La generación de defectos fotoinducidos (corrientes de fuga, dislocaciones, resistencias internas, pérdida de ohmicidad de los contactos, etc.) debido a los procesos de interconexión, han sido analizados. Mediante la sincronización de sistemas de microfabricación con láser y sistemas electrónicos ultrarrápidos se puede controlar con gran precisión los procesos de interconexionado y evitar deficiencias producidos por las cargas mecánicas y cinéticas de los sistemas de posicionamiento, los cuales juegan un papel decisivo en la interconexión y aislamiento de células fotovoltaicas de lámina delgada de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) en configuración de superestrato. Este trabajo está enfocado en el segundo y el tercer proceso láser de interconexión monolítica, los cuales conectan eléctricamente y en serie células solares individuales dentro de un módulo, son los denominados P2 y P3 respectivamente. La dependencia en las curvas de medida bajo iluminación (JVI) y oscuridad (JVO) con los parámetros de interconexión fueron evaluados inicialmente en células individuales. Finalmente, varios módulos fueron dise?ados con una notable mejora en la eficiencia debido a la optimización y combinación de tales procesos.