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Session 11 Quantum electronics and compound-semiconductor devices—Heterojunction bipolar transistors

机译：专题11量子电子学和化合物半导体器件—异质结双极晶体管

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《Electron Devices Meeting, 1986 International》||p.261-261|共1页
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Asbeck P.; Morkoc H.;
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1. III-Nitride Heterojunction Field-Effect Transistors and Heterojunction Bipolar Transistors for Next-Generation Power Electronics [J] . Russell D. Dupuis, Shyh-Chiang Shen, Zachary M. Lochner ECS transactions . 2011,第8期

机译：III-Nitride异质结场效应和异质结双极晶体管为新一代电力电子晶体管
2. Experimental determination of the effective minority carrier lifetime in the operation of a quantum-well n-p-n heterojunction bipolar light-emitting transistor of varying base quantum-well design and doping [J] . H. W. Then, M. Feng, N. HolonyakC. H. Wu Applied physics letters . 2007,第3期

机译：不同基量子阱设计和掺杂的量子阱n-p-n异质结双极发光晶体管有效少数载流子寿命的实验测定
3. Experimental determination of the effective minority carrier lifetime in the operation of a quantum-well n-p-n heterojunction bipolar light-emitting transistor of varying base quantum-well design and doping [J] . Then HW, Feng M, Holonyak NWu CH Applied physics letters . 2007,第3期

机译：不同基量子阱设计和掺杂的量子阱n-p-n异质结双极发光晶体管有效少数载流子寿命的实验测定
4. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

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