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【24h】

Integration of III-V on Silicon Gain Devices at the Backside of Silicon-on-Insulator Wafers for Photonic Fully Integrated Circuits

机译:在光子全集成电路的绝缘子上硅晶圆背面,将III-V集成到硅增益器件上

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摘要

We present a new platform integrating heterogeneous III-V/silicon gain devices at the backside of silicon-on-insulator wafers. The fabrication relies on commercial silicon photonic processes. The performances of lasers and SOAs fabricated accordingly are reported.
机译:我们提供了一个新的平台,该平台在绝缘体上硅晶片的背面集成了多种III-V /硅增益器件。该制造依赖于商业化的硅光子工艺。报告了相应制造的激光器和SOA的性能。

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