机译:发射极宽度和发射极-基极距离对4H-SiC功率BJT中电流增益的影响
机译:温度和切换率对高压硅和4H-SiC NPN BJTS动态瞬态的影响:技术评价
机译:1200 V 4H-SiC BJT和1200 V Si-IGBT的静态和开关特性比较
机译:发射极感测针对标准离散外壳SiC BJTS切换行为的影响
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:自我和其他语言行为的互动影响:双语生产与理解之间切换的证据
机译:温度和切换率对高压硅和4H-SiC NPN BJTS动态瞬态的影响:技术评价
机译:基于4H-siC的BJT到200℃的静态和开关特性