Indium gallium arsenide; HEMTs; System-on-chip; Switching circuits; III-V semiconductor materials; Switches;
机译:带有智能投机双击嵌入式DFE的6位1.5 GS / S SAR ADC,用于有线接收器应用的130nm CMOS中
机译:具有6位MSBS共享技术的CMOS双向时间交错12位SAR ADC
机译:具有40-NM低泄漏CMOS的测试存储器的25-GS / S 6位时间交错SAR ADC
机译:片上集成III-V / CMOS 125MSPS 6位SAR ADC
机译:采用SIGE BiCMOS技术的高速SAR ADC设计
机译:具有列并行12位SAR ADC的低噪声CMOS图像传感器的快速多重采样方法
机译:使用亚微米CMOS技术设计高速,6位管线ADC,内置数字误差校正单元。