InSb; inductively coupled plasma etching; quasi-static; damage; surface state;
机译:在电感耦合等离子体反应离子蚀刻中的多步 - 偏压蚀刻来减少血浆诱导的N型GaN损伤
机译:蚀刻诱导的掺杂P型GaN的抗损伤及其通过低偏压电感耦合等离子体反应离子蚀刻的抑制
机译:低功率电感耦合等离子体制造的反应离子蚀刻诱导损伤反应离子蚀刻损伤的评价与减轻
机译:蚀刻耦合等离子体刻蚀技术对HgCdTe的腐蚀诱导损伤
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:SiC电感耦合等离子体刻蚀的机理和表面损伤
机译:基于ICl和IBr的化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;等离子体化学和等离子体处理