HighKdielectricmaterials; Logicgates; MOSFET; Metals; Performanceevaluation; Signaltonoiseratio; Thresholdvoltage; 22nmPMOS; TaguchiMethod; high-k/metalgate; scalingdown;
机译:对工艺参数进行统计优化,以减少32 nm PMOS晶体管阈值电压的变化
机译:Taguchi方法优化45 nm PMOS器件的工艺参数变异性
机译:工艺参数优化对阈值电压对HfO2 / TiSi2 18 nm PMOS显影的影响
机译:工艺参数变异性对使用TAGUCHI方法的较低22nm PMOS阈值电压的影响
机译:实验顺序设计与田口健壮的参数设计相结合,是一种有效的过程改进方法。
机译:使用有限元法和TAGUCHI分析优化Inconel 718倾斜钻孔的切割过程参数
机译:使用TAGUCHI方法优化45nm PMOS设备的过程参数变异性
机译:Fps-16和GmD-1测量和风数据处理方法的比较。第二阶段 - 大气参数时间变化分析最终报告