机译:后栅极和先栅极工艺对深亚微米反型InGaAs n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:具有InGaP势垒层和Al2O3介质的埋入InGaAs沟道nMOSFET的正偏置温度不稳定性退化。
机译:InGaAs沟道nMOSFET的正偏置不稳定性和恢复
机译:先栅和后栅InGaAs沟道n-MOSFET的正偏置不稳定性
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有TiO2栅极电介质的超薄VO2通道中的正偏置栅极控制的金属-绝缘体过渡
机译:具有ZrO2栅极电介质的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的正偏置温度不稳定性