finfet device; process fluctuation; vertical nonuniformity; performance variation;
机译:考虑量子约束效应的InGaAs和Si负电容FinFET阈值电压的鳍宽灵敏度研究
机译:翅片宽度对FinFET SRAM单一事件镦粗特征的影响
机译:FinFET的特征敏感性,以找到垂直不均匀性
机译:取决于Fin形状和TSV以及3D集成电路中背栅噪声耦合的FinFET电性能仿真。
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:具有各种Si翅片延伸长度的P沟道FinFET的性能特征,用于源极和漏极螺栓