机译:整体蒙特卡罗模拟和现有解析模型表示的45nm n-MOSFET随机沟道掺杂和单个随机界面陷阱存在阈值电压变化的比较分析
random dopant fluctuations; random interface trap; threshold voltage variations; short range coulomb interactions; 3D monte carlo device simulations;
机译:存在随机陷阱和随机掺杂的45nm沟道长度MOSFET器件阈值电压波动估计的精确模型
机译:考虑随机掺杂波动模型以准确预测45 nm及更高工艺中的金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压变化
机译:在存在随机离散掺杂剂和随机界面陷阱的情况下,16nm栅极高k /金属栅极MOSFET的物理和电气特性波动的统计设备仿真
机译:随机通道掺杂剂存在的阈值电压变化的比较分析和45nm N-MOSFET的单个随机接口阱,如Ensemble Monte Carlo仿真和现有分析模型表达所预测的
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:高效的蒙特卡洛模拟和Grim有效波模型,用于预测随机海浪中船只滚动的极端响应
机译:50 nm外延通道mOsFET中的随机掺杂阈值电压波动:3D'原子'模拟研究