机译:分子碳离子注入和重结晶退火将碳掺入取代硅位点中,作为应力技术在n-金属-氧化物-半导体场效应晶体管中的应用
机译:在n沟道晶体管的源/漏扩展中形成了具有高替代碳浓度和原位掺杂的硅碳应力源
机译:通过分子碳离子注入和激光退火形成的碳掺杂源极/漏极增强n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管性能的分析方法
机译:碳低温离子注入和亚稳态重结晶退火作为应力技术在n金属氧化物半导体场效应晶体管中将碳掺入替代硅位点中
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:退火后碳离子辐照6H-SiC的再结晶引起的表面裂纹
机译:通过重结晶无定形/结晶界面将磷在离子注入硅中的含量置换
机译:利用区域熔融再结晶制造结合功率双极和场效应晶体管的三维结构