II-VI semiconductors; arsenic; cadmium compounds; charge density waves; dangling bonds; density functional theory; impurities; mercury compounds; semiconductor doping; vacancies (crystal); Coulomb interactions; HgCdTe:As; bonding charge density; bonding mechanism; con;
机译:具有汞空位缺陷的Hg_(1-x)Cd_xTe的弛豫和键合机理:第一性原理研究
机译:Hg_(1-x)Cd_xTe中砷原位杂质的电子性质和化学趋势:第一性原理研究
机译:Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的氢-Te反位点复合杂质(H-Te_(Hg)):第一性原理研究
机译:HGCDTE中砷杂质和汞空缺耦合的第一原理研究
机译:Hg(1-x)Cd(x)Te晶体的行进加热法生长的理论研究和数值模拟
机译:锂离子电池电解液中铜集电器上杂质吸附和解离的第一性原理研究
机译:ZnO中空位辅助杂质扩散的第一性原理研究
机译:通过扰动角相关测量的Hg(1-x)Cd(x)Te中的铟-Hg空位相互作用