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Light emitting devices based on silicon nanoclusters

机译:基于硅纳米团簇的发光器件

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摘要

In this work we report the electrical and optical properties of innovative MOS devices, where the dielectric layer consists of a low temperature annealed substoichiometric SiO/sub x/ film prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), eventually doped with Er ions.
机译:在这项工作中,我们报告了创新型MOS器件的电学和光学特性,其中介电层由低温退火的亚化学计量SiO / sub x /膜组成,该膜通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备,最终掺杂了Er离子。

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