机译:采用0.18μm硅化CMOS技术的布局考虑时的片上ESD保护用ESD注入
机译:0.18- / splμm/ m SiGe BiCMOS工艺中用于ESD保护设计的低泄漏深沟道二极管的特性
机译:低泄漏二极管串的设计,用于0.35- / splμ/ m硅化物CMOS工艺的电源导轨ESD钳位电路
机译:在0.18-μm摇动CMOS工艺中为片上ESD保护电路的多指MSFET的布局设计
机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测