机译:通过选择性横向过度生长在(1 1 1)Si衬底上生长的单晶GaN金字塔
机译:纳米横向外延过度生长在Si(111)上生长的GaN中位错密度的数量级降低
机译:使用大剂量Nt离子注入在Si(111)衬底上GaN的外延横向过生长**
机译:通过选择性横向过度生长在Si(111)基板上生长的GaN金字塔缺陷
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在Si(111)衬底上生长的GaN纳米棒和激子定位
机译:通过选择性金属有机气相外延,Mg-Enviant of Patched GaN / Sapphire底物上的GaN的横向过度生长