机译:对角有源区域堆叠电容器DRAM单元,在位线上具有存储电容器
机译:通过原位多次快速热处理形成高质量的超薄氧化物/氮化物(ON)堆叠电容器[DRAM单元]
机译:具有自对准掩埋板布线的Half-V / sub CC /鞘板电容器DRAM单元
机译:通过使用粘合的SOI技术反转的堆叠电容(RSTC)单元,掩埋MOSFET和电容器上具有低电容和低电阻位线的Giga-Bit DRAM单元
机译:用于主动水管理的低温燃料电池和系统的堆栈级建模和验证
机译:高性能电化学电容器用具有吸引力的伪电容的空心Hetero-Ni7S6 / Co3S4纳米盒的自牺牲模板形成
机译:使用MOSFET电容器的低成本区域高效的低压丢失调节器
机译:具有裂纹的低压陶瓷电容器的绝缘电阻和漏电流。