plasma damage; porous low-k dielectrics; silylation; surface treatment; contact angle;
机译:湿法表面改性处理快速修复等离子体破坏的多孔低K介电材料
机译:图案化多孔低k电介质的特性:通过湿法加工/清洁进行表面密封和去除残留物
机译:通过有机硅氧烷蒸汽退火从多孔硅低k膜的等离子体工艺引起的损伤中恢复
机译:湿表面改性处理等离子体损坏多孔低k电介质的快速恢复过程
机译:等离子体对多孔低k的损伤机理研究:工艺开发和介电恢复。
机译:在−50°C以上的条件下使用微毛细管冷凝对多孔有机硅低k进行无损等离子体刻蚀
机译:等离子体损伤有机硅酸盐低k薄膜的介电恢复