【24h】

A full-chip ESD simulation flow

机译:全芯片ESD仿真流程

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摘要

An ESD simulation flow that has been demonstrated on 14 nm products is described. Due to Moore's Law, ESD protection devices are having an increasingly large impact on silicon area, power, and capacitance. A number of real-world examples demonstrating how the simulation flow improved these areas are provided.
机译:描述了已经在14 nm产品上演示的ESD仿真流程。根据摩尔定律,ESD保护器件对硅面积,功率和电容的影响越来越大。提供了许多实际示例,这些示例演示了仿真流程如何改善了这些区域。

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