Breakdown voltage; Electrostatic discharges; Junctions; Robustness; Substrates; Testing; Thyristors;
机译:布局几何形状对nLDMOS器件的影响,以实现高压ESD保护
机译:耐高压nLDMOS-SCR ESD器件的断态衰减
机译:对电源nLDMOS ESD / LU可靠性的漏极侧布局拓扑的综合评估
机译:不同NLDMOS设备的ESD鲁棒性的综合研究和相应的改进
机译:对二氧化钒的固-固结构相变到微机电装置的适用性的综合研究。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:高可靠性与放大器研究;用于车辆Hv应用的Nldmos设备中的弱回弹