机译:采用28 nm高k /金属栅平面体CMOS技术的高度对称10晶体管2读/写双端口静态随机存取存储器位单元设计
机译:采用32 nm高k +金属门CMOS技术的4.0 GHz 291 Mb可扩展电压的SRAM设计,具有集成的电源管理
机译:利用SRAM技术趋势和恒定负电位写入电路的32nm0.149μm〜2单元低压可配置SRAM
机译:一种可配置的SRAM,具有恒定负级写缓冲器,用于低压操作,32nm高k金属门CMOS中的0.149μm〜2电池
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:低压非易失性复合半导体存储单元的室温操作
机译:32NM技术中具有6分CMOS SRAM单元的三个值逻辑8T CNTFET SRAM单元的比较分析