机译:用于低功耗应用的钽栅薄膜SOI nMOS和pMOS
机译:高κ材料侧壁具有源极/漏极至栅极非重叠结构,适用于低待机功率应用
机译:具有高迁移率和低泄漏电流的高级HfTaON / SiO {sub} 2栅堆叠,适用于低待机功耗应用
机译:栅极首款用于32nm低待机功率应用的金属氮化铝PMOS电极
机译:用于片上存储器的自旋转移扭矩(STT)器件及其在低待机功率系统中的应用
机译:适用于5 µm以下荫罩和10 µm以下交叉指状电极(IDE)制造中的材料的低功率多模态激光微加工
机译:利用新型PMOS和NMOS的铝系统设计为低功率和高速应用