Yaroslavl Branch of Institute of Pysics and Technology of the Russian Academy of Sciences,rn21 Universitetskaya St., Yaroslavl, Russia, 150007;
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electroforming; self-formation; conductive medium; nanostructure; non-volatile memory; electric switching; memory cell;
机译:基于TIN-SiO_2-W开放夹心结构形式的自形成导电纳米结构的存储单元的电学特性研究。
机译:基于自形成的导电纳米结构的能量无关的电可程序存储器的细胞辐射行为研究。一,信息存储方式
机译:自形成的导电纳米结构上的高稳定性非易失性电可编程存储器
机译:具有细胞集成晶体管去耦的自塑导电纳米结构上的非易失性电性再编程存储矩阵
机译:用于集成巨型磁阻非易失性存储器的介电薄膜的化学机械抛光。
机译:通过周期性超晶格将折射率与透明导电氧化物的电学特性解耦
机译:Fe(HB(pz)3)2自旋交联络合物集成在微电极装置中的电性能和非易失性存储效应
机译:基于磁性半导体纳米结构的新型非易失性存储器件用于太比特集成