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【24h】

Transport properties of InAlAs/InGaAs metamorphic high electron mobility transistors on GaAs substrate

机译：GaAs衬底上InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的传输特性

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来源
《》|2001年|P.1077-1080|共4页
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作者
Jiang; C.P.; Li; X.J.; Guo; S.L.;
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正文语种
中图分类无线电电子学、电信技术;
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