机译:具有新的击穿电流模型和漏-衬底非线性耦合的改进型深亚微米MOSFET RF非线性模型
机译:GaAs pHEMT中基于表面电势模型的漏电流非线性分析
机译:深亚微米MOSFET的特性及其经验非线性RF模型
机译:一种改进的深次微米MOSFET RF非线性模型,具有新的击穿电流模型和漏极基板非线性耦合
机译:在大电流光电探测器中建模非线性和噪声。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应