silicon; atomic emission spectroscopy; plasma diagnostics; process monitoring; integrated circuit manufacture; elemental semiconductors; sputter etching; X-ray chemical analysis; poly-Si etch chamber; optical emission spectroscopy; etching plasmas; gate;
机译:多晶硅/ SiO {sub} 2 / Si结构的等离子蚀刻:Langmuir探针和发射光谱监测
机译:SiO 2 sub>等离子体刻蚀中原位发射光谱数据的光度学研究
机译:使用原位发射光谱在等离子体蚀刻中进行泄漏故障检测和分类
机译:使用蚀刻等离子体的光发射光谱法以原位定量多Si蚀刻室中的沉积量
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:等离子刻蚀过程中用光发射光谱仪进行早期故障检测的相似率分析
机译:SiO2等离子体蚀刻中原位发射光谱数据的光度学研究
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻