MOSFET; Monte Carlo methods; semiconductor device models; Poisson equation; Schrodinger equation; submillimetre wave transistors; silicon; elemental semiconductors; Ge-Si alloys; semiconductor materials; depletion-mode double-gate PMOSFET; full-band Mont;
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机译:瞬态加热产生的异质外延Ge(1-X)si(X)薄膜的透射电子显微镜和离子通道研究