机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12μA/ Mb泄漏SRAM设计,并具有针对移动应用的集成式减少泄漏功能
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12 $ mu $ A / Mb泄漏SRAM设计,具有针对移动应用的集成式泄漏减少功能
机译:UDSM CMOS VLSI电路中的泄漏和减少泄漏的方法分析
机译:用于超低功耗CMOS电路的栅极电平漏功率降低方法
机译:纳米级CMOS电路中降低待机泄漏功率的方法。
机译:采用0.18μmCMOS技术的超低功耗RFID / NFC前端IC用于无源标签应用
机译:超低功率CMOS电路的门级泄漏功率降低方法†