plasma probes; sputter etching; plasma charging damage characterization; dielectric etch chambers; bias voltage diagnostic cathodes; plasma-induced self bias uniformity; multiple probe pins; ceramic electrostatic chuck surface; wafer surface DC bias;
机译:通过原位膜表征和等离子体诊断评估多孔SiOCH介质上H_2 / N_2等离子体损伤
机译:栅极氧化物堆叠蚀刻中等离子体化学性质和腔室条件的光学诊断
机译:结合等离子体增强原子层沉积栅极电介质和原位SiN覆盖层,可降低200mm Si衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的阈值电压漂移和动态导通电阻色散
机译:使用偏压诊断阴极对200mm和300mm介电蚀刻室进行等离子充电损伤表征
机译:介电膜的等离子体诊断和表征。
机译:氩氮和氧气氛中来自复合AlCr阴极的阴极电弧等离子体中元素和电荷态分辨的离子能量
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生