机译:通过热线化学气相沉积(HW-CVD)方法沉积氢化非晶硅(a-Si:H)膜:衬底温度的作用
机译:通过热线化学气相沉积在塑料基板上低温度沉积非晶和微晶硅膜
机译:通过在1900到2500摄氏度之间的高灯丝温度通过热线化学气相沉积获得的非晶和微晶硅膜
机译:通过热线CVD法在低沉积温度下沉积氢化非晶硅与微晶过渡制度附近的散晶变化。
机译:氢化非晶硅,微晶硅和硅基合金薄膜的沉积和表征。
机译:感应耦合等离子体沉积在室内照明中实现高转化效率的低温生长氢化非晶碳化硅太阳能电池
机译:通过热线化学气相沉积在塑料衬底上低温度沉积非晶和微晶硅膜