DRAM chips; flip-flops; 1.8-v 800-Mb/s/pin DDR2; 2.5-v 400-Mb/s/pin DDR1; 1Gb SDRAM; dual clock input latch scheme; hybrid multi-oxide output buffer; 1.8 V; 800 Mbit; 2.5 V; 400 Mbit; 1 Gbit; 3.05 to 2.15 ns;
机译:具有双时钟输入锁存方案和混合多氧化物输出缓冲器的1.8V 800Mb / s / pin DDR2和2.5V 400Mb / s / pin DDR1兼容设计的1Gb SDRAM
机译:1Gbit DRAM的开发,可在一个芯片上实现两种规格的1.8V 800-Mb / s / pin DDR2和2.5-V 400-Mb / s / pin DDR1
机译:开发1 Gbit DRAM,可在一个芯片中实现2个1.8V 800-MB / S /引脚DDR2和2.5-V 400-MB / S /引脚DDR1的规格
机译:1.8-V 800-MB / S /引脚DDR2和2.5-V 400-MB / S /引脚DDR1可兼容设计的1GB SDRAM,带双时钟输入锁存器方案和混合多氧化物输出缓冲区
机译:混合动力电动汽车输入-输出反馈线性化控制器自适应反推设计的异步电动机动态建模与仿真