optical loss measurement; quantum well lasers; indium compounds; gallium arsenide; aluminium compounds; III-V semiconductors; internal optical loss measurement; multiple width quantum well laser; multisection device technique; InGaAs-InAlGaAs quantum well structure; active region; InGaAs-InAlGaAs;
机译:硅掺杂对光泵浦深紫外AlGaN量子阱激光器的内部量子效率和阈值的影响
机译:内部微分量子效率对腔长的依赖性及其对测量激光二极管光损耗的影响
机译:内部损耗对中红外InAs-GaInSb-AlSb量子阱激光器功率效率的影响以及与InAsSb激光器的比较
机译:与常规相同量子井激光相比,多宽量子阱激光器中内部光学损耗的研究
机译:使用量子受限斯塔克效应调谐激光器的多通道光频率生成,适用于密集波分复用应用。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:用金属 - 金属波导的太赫兹量子级联激光器的最优脊宽和暴露侧条宽度的研究
机译:用于中红外激光应用的基于锑的I型和II型多量子阱半导体结构的光学表征。