organic-inorganic hybrid materials; dielectric thin films; plasma CVD coatings; permittivity; ULSI; integrated circuit interconnections; electrical stability; organic-inorganic material; low-k dielectric constant; ICPCVD method; ultralarge scale integrat;
机译:氮化硼纳米管毡作为低介电常数材料,介电常数相对范围为1.0至1.1
机译:由功能化的八面体倍半硅氧烷和球形硅酸盐衍生的具有可调低k介电常数的材料
机译:高电阻率和低介电常数的非晶态氮化碳膜:在ULSI的低k材料中的应用
机译:用ICPCVD方法沉积低k介电常数的有机无机材料的电稳定性
机译:金属/低介电常数材料系统的电稳定性。
机译:用于微和纳米电子应用的低k介电薄膜的热稳定性的宽带介电光谱表征
机译:mTms / O2 - ICpCVD沉积低介电碳掺杂氧化硅薄膜的形成与特性
机译:低K介质材料中的电子辐射效应